美光分拆职业 发力存储器DRAM

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摘要:3月3日讯近日,全球排名第三的三大存储器厂商美国美光传出消息,为了全力聚焦DRAM和NAND两大业务,美光计划将重心专注在应用快速成长的DRAM和储存型快闪存储器,出售NORFlash芯片事业

3月3日讯 近日,全球排名第三的三大存储器厂商美国美光传出消息,为了全力聚焦DRAM和NAND两大业务,美光计划将重心专注在应用快速成长的DRAM和储存型快闪存储器,出售NOR Flash芯片事业,将战力集中在提升DRAM和NAND芯片市场占有率。

采用新技术的128Gbit存储器芯片

由于近期全球存储器产业链上游的晶圆片供应吃紧,且原本将NOR芯片用来填补产能的晶圆厂,已全力转进需求快速成长的手机、网通、电源管理及其他应用逻辑芯片,挤压NOR Flash产能,加上全球NOR市场占有率最大的美光的退出,已经可以预见NOR芯片供货短缺。消息人士透露,美光已对主要客户发出退出NOR事业通知,要客户提早因应,引起相关应用大厂纷纷紧急转寻替代供货来源,以免影响后续新产品上市。

英特尔和美光科技2015年7月28日宣布,开发出了3D XPoint technology,英特尔称之为自1989年采用NAND闪存以来,时隔25年多取得的新突破。两公司利用该技术开发出了在NAND闪存中比较普遍的容量为128Gbit的芯片。预计主要用于填补DRAM与NAND闪存间性能空白的存储级内存。

据悉,近年来因为业务不断整合,目前美光NOR Flash业务在集团整体营收占比不高,产能上不具备经济效益,所以计划出售,对美光专注经济效益更高的DRAM和NAND存储器颇为有利。资料显示,美光在2010年耗资12亿美元收购恒亿获得了后者NOR Flash相关技术和市场,曾一度获得该类产品全球市场占有率第一的成绩。

发布资料中介绍称,3D XPoint是一种非易失性存储器,但没有公开信息记录原理。采用使字线与位线以三维形状组合的交叉点构造,在导线的交点配置选择器和存储单元。这种构造与被动式显示器一样,无需晶体管即可对各存储单元进行读取和写入。

业内专家表示,美光此举必然是为了收缩产品线,集中精力发展目前最火热的DRAM和3D NAND存储器,介于目前市场上三大存储器厂商产能有限,且供需不平衡的情况在短期内无法解决,美光率先做出反应,有利于营收和市场占有率的进一步提升。

性能方面,两公司强调,在某些方面达到了NAND闪存的1000倍。具体来说,速度为NAND闪存的1000倍,擦写次数也是NAND闪存的1000倍。存储单元的高密度化为现有技术的10倍以上。

事实上,去年年末,美光就正式收购全球存储器第四厂商台湾华亚科,并加大在台湾投资,今年开年更是动作频频,积极打造台湾DRAM生产中心,其位于台中的厂房也正在导入更为先进的10纳米世代的制程。除此之外,美光还在积极增加美国生产基地、日本广岛分公司等投入,增强自身的产能和技术。

或为相变型非易失性存储器

随着全球智能手机、大数据、物联网、无人驾驶汽车、云计算、服务器等智能应用的不断膨胀及市场对更大容量、更快速度的存储部件的需求越来越大,DRAM存储器、NAND芯片的市场容量在不断上涨。事实上,目前仅仅因为智能手机市场的增长,广泛应用用户手机存储的NAND需求量增长迅速,已经出现全球智能手机产能紧张的情况。而由于全球存储器大厂今年产能还无法在短期内实现扩张,存储器市场合约价持续看涨。

发布资料中没有明确说明速度具体指什么。如果是写入时的访问时间,由于NAND闪存的速度在存储技术中是非常慢的,因此,即便是其1000倍,也不会超过DRAM和NAND闪存以外的现有的非易失性存储器技术。

近年来,存储器DRAM市场持续看好,出于产业发展和产业安全的考虑,国内不断发力投入集成电路产业发展浪潮中,在集成电路存储器DRAM产业上也积极布局,暂时形成福建晋江晋华存储器集成电路项目、合肥长鑫、武汉长江存储三大格局。其中,位于福建省晋江市的晋华集成电路存储器项目一期投资370亿人民币,开发先进存储器技术和制程工艺,已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划,欲率先在国内实现集成电路芯片国产化,受到业内广泛关注。

另外,NAND闪存的擦写次数约为105~6次,在各种存储技术中是最少的。如果新产品达到其1000倍的108~9,则可靠性会大幅提高。不过,作为非易失性存储器技术,这一性能称不上特别出色。

上述各项性能值及交叉点构造与现有非易失性存储器中名为相变型存储器的非易失性存储器最为接近。IBM等也在推进采用交叉点构造的PCRAM的三维化研发。

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